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SiGe 半导体在微电子技术中的应用作用

本篇论文目录导航：

【第 1-2 篇】微电子技术论文（优秀范文分享）

【第 3篇】微电子在智能用电中的实际运用

【第 4 篇】 SiGe 半导体在微电子技术中的应用作用

【第 5篇】基于微电子技术的发展状况分析航空电子系统发展趋势

【第 6篇】超高速集成电路与微波单片集成电路在信息作战领域的应用

　微电子技术论文第四篇：SiGe 半导体在微电子技术中的应用作用

　摘要：本文对 SiGe 半导体的类型进行分析，主要介绍了双极型晶体管与异质结双极型晶

体管两种，并对 SiGe 半导体的重要作用加以阐述，包括提高载流子迁移率、应变工程技术应

用、应变引入方法等方面，力求使 SiGe 半导体在微电子技术发展中得到广泛应用。

　关键词: SiGe 半导体;微电子技术;重要作用;

　引言：长期以来，Si 始终是半导体工业中的重要材料，但其载流子迁移率、饱和漂移速度

较低，且具有间接跃迁能带结构，对其应用领域进行限制。在此背景下，SiGe 技术应运而生，

不但可弥补 Si 的上述问题，还具有较强的经济性，受到广泛关注。本文将对 SiGe 半导体在微

电子技术中的应用作用进行研究。

　一、SiGe 半导体类型

1.1 双极型晶体管

此种类型的功耗较大，工作频率较高、噪声较低，适用于对噪声要求不严格的模拟电路

中。但是，常规的双极晶体管很难满足超高频、超高速的要求，主要由于其自身存在诸多内在

矛盾。例如，为了提高频率与速度，要求降低基极电阻与发射结势电容，这将会导致发射结注

入效率降低，对频率、速度、放大性造成较大影响。另外，降低寄生电容，尤其是衬底部分，

需要对管芯结构、工艺等进行改变，且对管芯尺寸进行有效控制。可见，此类晶体管速度与频

率的提升，与性能增加来说具有互斥性，这将要求设计时综合考虑各项因素间的关系，使频率

与速度达到某一水平即可。

1.2 异质结双极型晶体管

此类晶管可有效克服常规晶管中存在的内在矛盾，将禁带宽度较大的半导体作为发射区。

为了减少尖峰对电子注入产生的不良影响，此种异质发射结的注入效率较高，空穴反向注入受

到空穴势垒的影响较大，而与掺杂浓度无关。对此，该晶体管可在确保高发射结注入率的情况

下，使基区的掺杂浓度增加，使器件宽度得到有效控制，并以此缩短基区渡越的时间，使其具

备超高速、高额、低噪声等特点，为微波使用提供更大便利[1]。

　二、SiGe 半导体在微电子技术中的应用作用

1、提高载流子迁移率。

为了提高集成电路的频率、速度性能，需要提高载流子的迁移率。从某种角度来看，迁移

率的提高十分重要，因为在集成电路中信号的逻辑电压摆幅与延迟时间之间呈现反比关系，公

式表达为：

式中，C代表的是负载门中输入电容；Vm 代表的是逻辑电压摆幅；τd 代表的是延迟时

间。

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SiGe半导体在微电子技术中的应用作用本篇论文目录导航：【第1-2篇】微电子技术论文（优秀范文分享）【第3篇】微电子在智能用电中的实际运用【第4篇】SiGe半导体在微电子技术中的应用作用【第5篇】基于微电子技术的发展状况分析航空电子系统发展趋势【第6篇】超高速集成电路与微波单片集成电路在信息作战领域的应用　微电子技术论文第四篇：SiGe半导体在微电子技术中的应用作用　摘要：本文对SiGe半导体的类型进行分析，主要介绍了双极型晶体管与异质结双极型晶体管两种，并对SiGe半导体的重要作用加以阐述，包括提高载流子迁移率、应变工程技术应用、应变引入方法等方面，力求使SiGe半导体在微电子技术发展中得到...

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