翻译文献雷均荧光显微镜-化学机械抛光外文翻译
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化学机械抛光()现已广泛应用于半导体制造。在 中描述离子的运动对理解
复杂的 材料去除机制是至关重要的。在这项研究中,我们在荧光技术的基础上设计并
发展出了这项实验系统。粒子在透明薄片之间的接口中的位移与速度以及抛光片都可以在
系统中被观察到。我们可以看到一些粒子被嵌入在抛光垫片中与抛光垫片一起旋转。其他
的粒子则可以在悬浮液中自由移动。实验中的所有粒子都可以被分为 2组。计数过程表明
在我们的视野中自由粒子的数量占百分之十到五十。通过分析自由粒子在不同旋转速度和
外界压力下的速度,我们可以发现一些自由粒子能达到 (- 到(/ 倍的线速度。速度测量的
不确定度是 /+。这个研究的目的是为了通过测量实时粒子的移动来深入观察材料表面去除
机制。
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化学机械抛光()被广泛用作半导体制造的重要工具。目前 是一个在地区乃
至全球能提供卓越的集成电路()晶片的独特的技术。 是一个复杂的过程因为底层
材料的去除原理涉及化学和力学的影响,直到今天也没有被完全的理解。在众多的可影响
抛光率和表面质量的变量中,在悬浮液中的粒子在 中起到的影响最大。在 中描
述粒子的运动能帮我们更好地理解 的基本原理。
我们采取的很多方法来研究这个问题,并且开发了两种典型的接触模型:(()水动力
接触模型(-)固%固接触模型。在水动力接触模型的情况下,晶片和抛光垫片由液体薄膜
分开。大部分的材料去除原理是悬浮液中粒子与晶片之间的碰撞。一些实验结果表明粒子
速度,颗粒大小,冲击角不同,撞击对固体表面的影响也不同。另外,在固%固接触的模式
下,晶片与抛光垫片直接接触。粒子直接卷入到两片之间或漂浮在悬浮液中。这两种粒子
的比率能明显影响磨片之间的相互作用。所以被广为接受的是这种材料去除基本原理,即
材料的去除主要是因为在两磨片之间两种粒子所发生的相互作用。
然而,上面的方法都是基于之前的实验结果。因为在 实验中原位观察和数据采集
在当前现有工具的帮助下是困难的。其中一个原位测量方法是荧光激光双发射诱导技术
(:;<=)。研究者利用 :;<= 技术来研究悬浮液在现实 情况中的运动,例如悬浮液的
液膜厚度以及混合情况。
与此同时,粒子图像测速仪(?)被称为一个完美的测量技术,荧光粒子或液滴被用
作在流体系统及 悬浮液中速度测量的追踪剂。在穆勒试验中,悬浮液周围的薄片有有
多种类型,注入位置,压力和磨片的速度。然而用 ? 识别和追踪单个粒子是困难的原因
是由于高密度示踪剂。粒子追踪测速($?)是 ? 的一个子设备。稀疏的示踪剂是为了减
少重叠的产生。直到现在,在 以及 $? 中观察粒子的运动都还没有文献报道。
在本文中,我们提出了详细的在以 $? 为基础的试验系统中磨片下悬浮液中微荧光粒
子的运动。这项研究的目的是 中粒子的实时测量和对 材料去除原理提出更深刻
的理解。
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作者:闻远设计
分类:课程设计课件资料
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时间:2023-02-02

